| Общие характеристики |
| Тип памяти |
DDR2 |
| Форм-фактор |
SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота |
800 МГц |
| Пропускная способность |
6400 Мб/с |
| Объем |
1 модуль 2 Гб |
| Поддержка ECC |
нет |
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) |
5 |
| Дополнительно |
| Напряжение питания |
1.8 В |
|
